Анодирование в водных растворах кислот или щелочей - наиболее распространенный и универсальный способ создания оксидных пленок толщиной 1-250 мкм (например, для получения диэлектрических и электролитических, оксидно-полупроводниковых и оксидно-металлических конденсаторов, антикоррозионных и декоративных покрытий, грунтовых слоев под лаки и краски и т. д.).
Посредством анодирования в расплавах солей [с температурой эвтектики (от минус 23 до +527) °С] получаются диэлектрические пленки толщиной 20-400 мкм для высоковольтных прецизионных конденсаторов и электроизоляционной пленки повышенной твердости.
Для анодирования в газовой низкотемпературной плазме тлеющего разряда, служащей источником отрицательных ионов кислорода, обычно используются две пары электродов: одна - для образования тлеющего разряда, другая - для получения оксидной пленки, причем пленкообразующие электроды помещаются в область положительного столба тлеющего разряда. Такой способ образования оксидной пленки хорошо сочетается с многими операциями планарной технологии, его применение имеет большие перспективы в микроэлектронике. Иногда анодирование проводят в газовой плазме безэлектродного высокочастотного разряда; при этом в рабочем объеме содержатся только пленкообразующие электроды. В газовой плазме с помощью анодирования создаются тонкопленочные элементы с туннельным диэлектриком и диэлектрические пленки конденсаторов, пассивируется поверхность интегральных схем, формуется межкомпонентная изоляция микросхем.
Плазменно-электрическое анодирование проводится при давлении 103-105 Па в парогазовой атмосфере с большим содержанием отрицательных ионов кислорода, которая образуется в результате интенсивного испарения электролита под воздействием электрического разряда между электродами, один из которых (обычно катод) находится в электролите, а другой (анод, т. е. анодируемое изделие) - над ним, вне электролита. Электролитом служит водный раствор кислоты или щелочи; напряжение между электродами 10-103 В. Плазменно-электролитическое анодирование применяется для получения диэлектрика в высоковольтных и прецизионных конденсаторах, создания антикоррозионных покрытий и других целей.