Алфавитный указатель | А | Б | В | Г | Д | Е | Ж | З | И | К | Л | М | Н | О | П | Р | С | Т | У | Ф | Х | Ц | Ч | Ш | Щ | Э | Ю | Я

Анодирование

Формирование покрытия на металлической поверхности путем анодного окисления, наиболее часто применяемое для алюминия. Известно несколько способов анодирования. Для реализации любого из них необходимо наличие замкнутой электрической цепи, состоящей из источника постоянного тока и электродов (катода и анода - собственно анодируемого изделия), пространство между которыми заполняется кислородосодержащей средой с ионной проводимостью. В зависимости от вида среды и механизма образования оксидной пленки анодирование различают:
Анодирование в водных растворах кислот или щелочей - наиболее распространенный и универсальный способ создания оксидных пленок толщиной 1-250 мкм (например, для получения диэлектрических и электролитических, оксидно-полупроводниковых и оксидно-металлических конденсаторов, антикоррозионных и декоративных покрытий, грунтовых слоев под лаки и краски и т. д.).
Посредством анодирования в расплавах солей [с температурой эвтектики (от минус 23 до +527) °С] получаются диэлектрические пленки толщиной 20-400 мкм для высоковольтных прецизионных конденсаторов и электроизоляционной пленки повышенной твердости.
Для анодирования в газовой низкотемпературной плазме тлеющего разряда, служащей источником отрицательных ионов кислорода, обычно используются две пары электродов: одна - для образования тлеющего разряда, другая - для получения оксидной пленки, причем пленкообразующие электроды помещаются в область положительного столба тлеющего разряда. Такой способ образования оксидной пленки хорошо сочетается с многими операциями планарной технологии, его применение имеет большие перспективы в микроэлектронике. Иногда анодирование проводят в газовой плазме безэлектродного высокочастотного разряда; при этом в рабочем объеме содержатся только пленкообразующие электроды. В газовой плазме с помощью анодирования создаются тонкопленочные элементы с туннельным диэлектриком и диэлектрические пленки конденсаторов, пассивируется поверхность интегральных схем, формуется межкомпонентная изоляция микросхем.
Плазменно-электрическое анодирование проводится при давлении 103-105 Па в парогазовой атмосфере с большим содержанием отрицательных ионов кислорода, которая образуется в результате интенсивного испарения электролита под воздействием электрического разряда между электродами, один из которых (обычно катод) находится в электролите, а другой (анод, т. е. анодируемое изделие) - над ним, вне электролита. Электролитом служит водный раствор кислоты или щелочи; напряжение между электродами 10-103 В. Плазменно-электролитическое анодирование применяется для получения диэлектрика в высоковольтных и прецизионных конденсаторах, создания антикоррозионных покрытий и других целей.

См. также:

 

Понравился материал на сайте sl3d.ru? Поделитесь им!



Помощь проекту "Машиностроение. Толковый словарь терминов"

Если Вам не безразлично будущее сайта, и Вы чувствуете необходимость продолжения начатой нами работы, мы с благодарностью примем от Вас добровольные пожертвования. Размер и количество взносов - на Ваше усмотрение. Все собранные средства пойдут на развитие проекта. Мы будем благодарны за любое пожертвование!

справочник